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加码4纳米进程,即将生产236层NAND内存,持续追赶台积电

发布日期:2022-08-23 11:45    点击次数:201

台积电拥先进制程技术领先与专业晶圆代工优势,产业龙头地位仍难以撼动,对于台积电而言,其要不断加码更先进的工艺,从而甩掉三星等一众对手的追赶。

据供应链最新消息称,台积电将砸超2300亿元扩大2nm产能布局,正向相关部门提出设厂用地需求。根据台积电的计划,3nm工艺会在今年下半年试产,明年大规模量产,而2nm工艺会在2024年试产,2025年开始量产,可能是下半年或者年底。

后头追兵三星、英特尔虎视眈眈,除持续扩产、冲刺先进制程技术外,也积极透过并购、与竞争同业合作、抢设备等各种策略,追赶台积电。

第四季度扩产4纳米制程

据外媒报道,三星4纳米在良率显著提升下,正着手扩产,预计今年第4季每月新增上看2万片产能,并规划在4纳米豪掷约5万亿韩元投资。欲从台积电手上抢下更多高通、超微、英伟达等大厂晶圆代工订单。

对于相关消息,三星表示,无法确认产量和投资增加问题。

三星电子日前公开表示,第2季资本支出集中在韩国平泽P3厂区基础设施以及华城、平泽,与大陆西安厂的工艺升级,对晶圆代工的投资则专注提高5纳米以下先进制程生产能力。

依据三星计划, 天蛛地灭平泽P3新厂计划5月至7月设备进厂,较原先提早约一个月,将先开出储存型快闪服务器(NAND Flash)产能,后续规划开出3纳米晶圆代工产能。

据报道,三星电子预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外,它还计划在本月开设一个新的研发中心,负责更先进NAND闪存产品的开发。

当前,存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK海力士最近完成了238层产品的开发,美光科技宣布开发出全球首款232层NAND闪存产品。

三星持续扩产 追赶台积电

为了追赶台积电,三星在提升产能上都做了哪些工作?在韩国国内,三星在位于韩国京畿道平泽市大规模建设工厂,按计划将总共建立六个芯片制造厂。2015年开建的工厂,占地面积达289万平方米,耗资15.6万亿韩元(约合人民币940亿元),该工厂于2017年7月正式运营,主要生产三星第四代3D NAND闪存芯片,月产能将达45万片晶圆。

2018年P2工厂开始建设,投资30万亿韩元,占地面积为128900平方米,约16个足球场大小,是集成晶圆代工、DRAM和NAND Flash产线的综合性工厂。据今年早些时候的报道,其中晶圆代工产线计划今年6月投入运营,生产5nm制程工艺产品,预计每月约为4万片。NAND Flash产线计划将在今年下半年开始批量生产,估计月产能2万片。

三星在平泽市的P3工厂在去年9月开始建设,投入金额约30万亿韩元(约合1760亿人民币),据悉该工厂的生产制造规模将比P2工厂增加50%,预计将采取“综合半导体工厂”的形式,同时生产DRAM,NAND闪存和逻辑芯片,逻辑芯片有望采用最新的5nm EUV光刻技术,P3工厂预计在今年年底开始投入量产。

在中国,三星自2014年以来一直在中国西安工厂生产NAND芯片,西安工厂也是三星在海外唯一的半导体存储器生产基地,2017年三星计划在西安投资70亿美元建设第二家工厂,2019年12月追加投资80亿元进行二期工程建设,据外媒报道,三星二期工厂建成后,NAND 芯片月产能将达到13万片晶圆,加上一期,月产能达到25万片晶圆。

在美国,三星原本就有一座晶圆厂,该工厂成立于1996年,位于美国奥斯汀,为手机、平板电脑和其他电子设备生产内存和系统芯片,也为美国的芯片制造商提供代工服务。该工厂为无晶圆厂的客户生产14nm、28nm和32nm的芯片,但该工厂尚未配备用于生产7nm或7nm以下产品的EUV光刻设备。



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