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韩国研究人员声称成功挑战了1nm级储存器的制造

发布日期:2022-08-22 21:32    点击次数:89

据韩联社8月16日报道,8月16日,韩国成均馆大学宣布, 天蛛地灭化学系Hyo-young教授和能源科学系教授Duong Din-lok以及电气与电子工程学院Yoo Woo-jong教授、Lee教授通过联合研究,开发出宽度和长度均为1nm的存储器。

图片来自:韩联社

它比目前生产的DRAM内存工艺(14nm)小14倍。其原理是,当其他碳纳米管与涂有特定分子涂层的碳纳米管交叉时,在交叉点产生会特殊效应。Woo-Jong Yoo教授说:“我们使用一种简单且廉价的技术,成功挑战了制造出比当前DRAM内存工艺小14倍的分子内存。”

该研究论文发表在国际学术期刊《Nature communications》上。

(编译:史天阳)



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